↓↓ لینک دانلود و خرید پایین توضیحات ↓↓
فرمت فایل: word
(قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحات:17
قسمتی از متن فایل دانلودی:
مقدمه :
همانطوريكه مي دانيم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تكنولوژي به حافظه براي تجهيزات مختلف نيازمند است . يكي از انواع حافظه ها DRAM يا Dynamic Random memory مي باشد كه اين DRAM ها مصارف مختلفي دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهاي ديگر صنعتي.
براي ساخت DRAM در تكنولوژيهاي مختلفي استفاده شده است كه ما در اينجا از ساده ترين DRAM ها شروع مي كنيم كه از يك ترانزيستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM هاي 1k و 4k و 16k و ... مي پردازيم . و نهايتاً يكي از تكنولوژيهاي جديدي كه در ساخت DRAM ها بكار رفته است را شرح ميدهيم . اين تكنولوژي هاي ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) مي باشد .
بنابراين بطوركلي اين روژه از 2 قسمت تشكيل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضيح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقايسه و كاربرد آنها و ... مي باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضيح راجع به تكنولوژي SO1 و كاربرد آن در DRAM مي باشد .
شرح پروژه :
قسمت اول , ساختمان و خصوصيات DRAM :
DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است كه حالت ساده آن از يك ترانزيستور ساده و خازن و يك AMP تشكيل شده است .
DRAM ها داراي خصوصياتي از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شكل زير مشخص است و عيب اين روش area مي باشد . علاوه بر اين ، 2 خصوصيت عمده از DRAM ها ذكر شده است كه عبارتند از :
1-Stacked cell(Expand up)
2-Trench cell(Expand Down)
همانطوريكه گفته شد DRAM مي تواند عمل Read و Write را انجام دهد .
براي عمل write بايد bitline يا در حالت high باشد يا low و word line بايد از موقعيت high باشد .
و...