تحقیق در مورد حکاکی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل :  word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت )
تعداد صفحه : 13 صفحه

 قسمتی از متن word (..doc) : 
 

‏- 33 -
‏حکاکی لایه نازک SiO2
‏معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer‏ کردن HF‏ انجام می شود.
‏حکاکی های PSG‏ 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.
‏حکاکی Anisotropic‏ در مورد Si‏ با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6‏ ‏و CH3F‏ انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si‏ خوب است، امّا‏ روی Si3N4‏ ‏ خوب نیست .
‏حکاکی لایه نازک Si3N4
‏حکاکی کننده تر در دم‏ای H3PO4,140 – 200C ‏ ‏ ‏می باشد.‏ SiO2‏ ‏حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si‏ خیلی خوب است. حکاکی Anisotropic‏ برای Si3N4‏ با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون ( Ion assisted Plasma etching )‏ در ترکیبی از C2F6‏ ‏و CH3F‏ انجام می شود.
‏حکاکی قربانی ( sacrificial )
‏قابل‏یت انتخاب حکاکی sacrifical‏ روی Si‏ باید خیلی بالا باشد. مواد متداول مورد استفاده PSG‏ و Photorestis‏ ,‏ Polyimide‏ ها می باشند. PSG‏ با استفاده از Resist‏ برداشته می شود‏.
Polyimide‏ ها ‏با استفاده از حکاکی پلاسما برداشته می شوند.
‏2 ‏–‏ 14 ‏–‏ ساختار پایه ( Basic structures )
‏2 ‏–‏ 14 ‏–‏ 1 ‏–‏ در میکرو ماشینی‏ن‏گ توده ای سیلیکون
‏یکی از ممکن ترین و بارزترین ساختارها الگودهی هادی های عایق شده الکتریکی است. یکی از کاربردهای آن می تواند‏ استفاده از میدان های الکتریکی برای ساختن سلول های انفرادی باشد.
‏حکاکی Anisotropic‏ به وسیله KOH‏ به آسانی می تواند کانال های V ( grooves )‏ شکل را ایجاد کند، یا گودال های ( Pits )‏ با دیواره های مخروطی شکل را داخل سیلیکون برش دهد.